Básicos de transistor - MOSFETs (1 / 6 paso)

Paso 1: Piezas y alguna teoría

Hay muchos tipos diferentes de MOSFETs, así que escoger uno específico a utilizar puede ser un poco abrumador. Para los proyectos aquí utilizaré ZVP2110A (hoja de datos) y ZVN2110A (hoja de datos) para casi todo. Son un poco anticuado, pero más que suficiente para nuestros propósitos aquí. La ZVP es P-channel, lo que significa que requiere una señal relativamente negativa en el pin de la puerta a la función. La ZVN es canal N, que requieren una señal relativamente positiva función. Sé que parece al revés, pero si piensas en negativo como "agujeros" y positiva como "enchufes", no puede hacer "agujeros" y el trabajo de "agujeros", necesita "agujeros" y "enchufes" que una "superficie" Lisa sobre la que los electrones pueden fluir.

Se necesita:

• MOSFETs de canal N - y P-canal llego a tener la ZVP y MOSFETs ZVN poner alrededor, así que usé los. El tipo de estos es conocido como E-type (imagen abajo) y es muy similar al paquete a-92 pero el lado redondeado es más plano. A menudo encontrará MOSFETs en el paquete TO-220 o similar (imagen abajo). MOSFET en el paquete TO-220 es generalmente MOSFETs de potencia y está diseñado para manejar cargas corriente más altas. Cada paquete de trabajo para los siguientes ejemplos. También encontré un 2N7000 en mi cubo de piezas, que tiene un paquete de la a-92, así que vienen en todas formas y tamaños. Nota - allí no es ningún conjunto estándar para asignaciones de pines entre los tipos de paquete! Siempre verifique su pajina para saber cual pin es cual.

  Paquete E-type	Paquete TO-220

• varios resistores - valores nominales de 100Ω - 100kΩ va a estar bien. Valores exactos se dará según sea necesario.
• varios electrónicas bits - motores, LEDs, interruptores, etc.. Cosas que pueden ser encendida o amplificado.
• Protoboard, cables puente, batería de 9V y clip de la batería.
• Lógica ICs. Estos son totalmente opcionales, pero MOSFETs encuentran su mejor aplicación en circuitos lógicos. ICs específicos se enumerarán según sea necesario.

La imagen siguiente muestra los dos tipos de símbolos de esquemas asociados con MOSFETs. (Cabe señalar aquí que los esquemas que se muestran son solamente para el tipo de realce MOSFETs. También hay tipo de agotamiento, y la diferencia es que mejora "activar" cuando se aplica voltaje, mientras que el tipo de agotamiento "desactivar". Trataremos solamente con tipos de mejora aquí.) Los tres pasadores están etiquetados Gcomió, lluvia Dy Source. (FYI - para BJT, éstos están etiquetados como Base, ollector Cy Emitter y sirven las mismas funciones básicas). Observe detenidamente la orientación de los tres pernos. Es muy fácil cambiar el MOSFET por atrás, así que siempre verifique su pajina para el MOSFET se utiliza para asegurar la orientación correcta del perno. El ZVNs y el ZVPs que estoy usando tienen una orientación pin diferentes que la mayoría de los MOSFETs que utilizan el paquete TO-220.

Echa un vistazo a la hoja de datos otra vez para el ZVN2110A. Como siempre hay mucha información en la hoja de datos. Preste especial atención a los grados máximos. Siempre Date un margen entre los valores de funcionamiento y el máximos y mantenerse bien alejado de valores máximos. Cuando opera cerca de valores máximos, generas más calor de lo necesario, y perder rendimiento y se acortará la vida útil del transistor. Obtener un transistor con una calificación más alta si es necesario.

Para MOSFETs de canal N trabajar, el voltaje de la puerta (V_G) debe ser más positivo que el voltaje de fuente (V_S). Esto se observa a menudo como V_GS y un valor mínimo frecuente para V_GS es 0.6-1.0V. Tenga en cuenta que según la hoja de datos, la ZVN puede manejar un V_GS de +-20V, pero tarda solamente entre 0.8V (min) y 2.4V (máximo) para abrir la puerta. Esto significa que se puede aplicar la misma tensión de alimentación a la puerta, así como el desagüe de tu MOSFET sin preocuparse por problemas de rendimiento. Eso hará más sentido más tarde.

Otro factor a tener en cuenta es el voltaje de la drenar-fuente (V_DS). V_DS no puede ser que menor que V_GS o el MOSFET simplemente no funcionará.

Para el MOSFET de canal P, tenemos que invertir todo lo anterior. V_DS debe ser el valor más negativo, V_S debe ser el valor más positivo y V_GS debe ser menor que V_S pero mayor o igual a V_DS.

Para más información sobre los MOSFETs, revisa estas páginas electrónica tutorials.ws y allaboutcircuits.com