Paso 12: Más información
![]()
Este es un circuito muy eficiente y es lo que se utiliza en la mayoría chips SRAM, pero descubrí que no es un circuito perfecto. ¿Recuerda cómo he dicho antes que la resistencia no fue suficiente para cambiar el estado del circuito? Bueno, resulta que, hay un pico de corriente muy breve cuando el circuito está conectado. Este punto tiene una duración de menos de un milisegundo, pero es tan alta como 100 miliamperios. Este punto es causada por la actual apresurándose a través de la activación y a tierra a través de la salida del inversor. Este punto es muy breve debido a que una vez que el inversor se apaga, no más corriente fluye. Este punto puede reducirse usando MOSFETs más pequeño (como un IC) que tienen una capacidad menor y agrupando todo lo más cerca que reduce aún más la capacidad.
Este es el circuito de memoria menos complejo que he construido hasta ahora. He hecho un RAM de TTL usando un SR Flip Flop, hice una RAM CMOS que utilizan un Latch D e implementé en un 1 Byte de RAM para tu microcontrolador favorito.
Finalmente voy a tratar de un circuito DRAM y si puedo encontrar unos corazones de ferrita barato (<$ 5 para 100 +), podría intentar hacer un núcleo memoria!!!!!!
